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DS1250W价格
参考价格：￥397.9220
型号：DS1250W-100IND+ 品牌：Maxim 备注：这里有DS1250W多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，DS1250W批发/采购报价，DS1250W行情走势销售排行榜，DS1250W报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DS1250W | 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM FEATURES 10 years minimum data retention in the absence of external power Data is automatically protected during power loss Replaces 512k x 8 volatile static RAM, EEPROM or Flash memory Unlimited write cycles Low-power CMOS Read and write access times as fast as 150 ns | Dallas |   | |
DS1250W | 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM 文件：226.07 Kbytes Page：9 Pages | Maxim 美信 | | |
DS1250W | 3.3V、4096k非易失SRAM | AD 亚德诺 | | |
3.3V 4096k Nonvolatile SRAM FEATURES 10 years minimum data retention in the absence of external power Data is automatically protected during power loss Replaces 512k x 8 volatile static RAM, EEPROM or Flash memory Unlimited write cycles Low-power CMOS Read and write access times as fast as 150 ns | Dallas | | ||
3.3V 4096k Nonvolatile SRAM FEATURES 10 years minimum data retention in the absence of external power Data is automatically protected during power loss Replaces 512k x 8 volatile static RAM, EEPROM or Flash memory Unlimited write cycles Low-power CMOS Read and write access times as fast as 150 ns | Dallas | | ||
3.3V 4096k Nonvolatile SRAM 文件：226.07 Kbytes Page：9 Pages | Maxim 美信 | | ||
封装/外壳：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm） 包装：卷带（TR） 描述：IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP 集成电路（IC） 存储器 | AD 亚德诺 | | ||
封装/外壳：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm） 包装：管件 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP 集成电路（IC） 存储器 | AD 亚德诺 | | ||
3.3V 4096k Nonvolatile SRAM 文件：226.07 Kbytes Page：9 Pages | Maxim 美信 | | ||
3.3V 4096k Nonvolatile SRAM 文件：226.07 Kbytes Page：9 Pages | Maxim 美信 | | ||
3.3V 4096k Nonvolatile SRAM 文件：226.07 Kbytes Page：9 Pages | Maxim 美信 | | ||
Original Strain Relief Bushings 文件：104.39 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
Single Chip Low Cost Low Power RF-Transmitter 文件：882.2 Kbytes Page：50 Pages | TI 德州仪器 | | ||
SUPER HEAVY DUTY 文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages | ENERGIZER 劲量 | | ||
Interconnection Cord with Appliance Outlet For low voltage, Straight 文件：258.3 Kbytes Page：2 Pages | SCHURTER 硕特 | | ||
Heyco짰 Original Strain Relief Bushings 文件：105.91 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
DS1250W产品属性
- 类型
描述
- 型号
DS1250W
- 功能描述
NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM
- RoHS
否
- 制造商
Maxim Integrated
- 数据总线宽度
8 bit
- 存储容量
1024 Kbit
- 组织
128 K x 8
- 接口类型
Parallel
- 访问时间
70 ns
- 电源电压-最大
5.5 V
- 电源电压-最小
4.5 V
- 工作电流
85 mA
- 最大工作温度
+ 70 C
- 最小工作温度
0 C
- 封装/箱体
EDIP
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DallasSem |
25+23+ |
34-PCM |
18826 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
DALLAS |
24+ |
DIP |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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DIP-32 |
7500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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DALLAS |
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15000 |
全新原装100真实现货供应 |
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DALLAS |
22+ |
DIP |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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原厂封装 |
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ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) |
24+ |
DIP-32 |
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原装正品现货支持实单 |
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DALLAS |
24+ |
2000 |
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DALLAS |
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进口原装现货 |
DS1250W规格书下载地址
DS1250W参数引脚图相关
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2020-10-28DS1259-电池管理芯片
特点 促进不间断电源 只有当主VCC是不可用的使用电池 低正向压降 电源故障信号中断的处理器，或写保护内存 功耗小于100 nA的电池电流 低电量警告信号 电池可电断开后命令 当VCC应用，电池会自动重新连接 配合DS1212非易失控制器×16片直接与备份16的RAM 可选的16引脚SOIC表面贴装封装 DS1259电池管理芯片是一个低成本的电池管理系统的便携性和非易失性电子设备。电池输入引脚连接到一个电池
2013-1-1DS1267-双数字电位器芯片
DS1267双数字电位器芯片由两个数字控制，固态电位器。每个电位器是由256个电阻部分。彼此之间的电阻节和电位器两端的雨刮器都可以访问的抽头点。中的地位电阻阵列上的雨刮器是由一个8位值控制抽头点连接到雨刮器输出。通过3线串行接口完成通信和控制设备。这个接口允许读取或写入设备抽头位置。（或堆叠）系列中增加的总电阻与两个电位器，可连接相同的分辨率。对于多个设备，单处理器的环境中，DS1267可级联或菊花链式。此功能提供一个单一的3线总线控制多台设备的。DS1267是提供了三个标准电阻值，其中包括10，50和100千欧版本。 该设备可用的软件包，包括一个14引脚DIP，16引脚SOIC，和20引脚T
2012-12-11
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