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Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)

Description Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels

IRF

N-CHANNEL POWER MOSFET

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N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS

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更新时间:2026-5-14 22:58:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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TO-247
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INFINEON/英飞凌
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