501集成电路资料力特全球贸易商Littelfuse-IC资料网

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芯片资料

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501	SurfaceMountFuses 文件：346.04 Kbytes Page：4 Pages	Littelfuselittelfuse 力特力特公司
501	NI/CUPOLYESTERTAFFETAFABRIC-OVER-FOAM 文件：620.34 Kbytes Page：2 Pages	LSTD Laird Tech Smart Technology
501	BifurcatedContactsinStandardDIPSocketswithSolderTailsorWireWrapPins 文件：610.57 Kbytes Page：1 Pages	ARIES Aries Electronics,inc
501	HCMOS/TTL/ClippedSine 文件：141.74 Kbytes Page：2 Pages	OSCILENT Oscilent Corporation
501	Capacity(20-hour)85Ah 文件：381.96 Kbytes Page：1 Pages	GSYUASABATTERY GS Yuasa Battery Sales UK Ltd

DRAL501DN供应商更多...

更新时间：2025-6-9 22:59:01

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DRA624AIZKKQI
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2023-7-6
DRC23-64PAA-N010
原装代理
2022-6-20
DR73-100-R大功率屏蔽鼓形磁芯电感器-DR系列
伊顿DR系列鼓形磁芯电感器采用磁屏蔽，是台式机和服务器的理想选择
2019-9-5
DRAM第二季价格或继续下行，供应商利润恐再缩水24LC64-I/ST
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，在第一季传统淡季，DRAM价格下滑的压力加剧。
2019-6-19
DRAM市况不振，美光、三星、海力士获利遭调降
由于DRAM市况不佳，近期各研究机构纷纷调降相关厂商的运营预估值，DRAM三巨头三星、海力士、美光无一幸免。其中，美国投资银行PiperJaffray本月宣布调降美光科技2019年、2020年的获利和营收预期，并表示产业趋势可能更糟。彭博数据显示，美光科技有近70%的收入来自DRAM存储芯片。PiperJaffray分析师库玛尔（HarshK
2019-3-26
DR280AKS-REEL-1.2伏的超低功耗高电源抑制比基准电压源
特征1.2V的精密输出卓越的线路调整，2百万分之/V典型高电源纹波抑制，-80分贝，在220赫兹超低功耗，电源电流16A最大温度系数为40ppm/℃最大低噪声，12.5纳伏/赫兹典型÷工作电压范围为2.4V至5.5V紧凑型3引脚SOT-23和SC70封装应用的GSM，GPRS，3G移动站便携式电池供电电子产品低电压转换器参考无线设备概述该ADR280是一
2013-3-24