位置：首页 > IC中文资料 > DRA21C100JBTR
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MultilayerCeramicCapacitor 文件：620.22 Kbytes Page：35 Pages | SamsungSamsung Group 三星三星半导体 |  |   | |
Widetemperaturecompensationandvoltagerange 文件：242.16 Kbytes Page：17 Pages | SamsungSamsung Group 三星三星半导体 | | |
更新时间：2024-5-11 18:41:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG/三星 |
24+ |
SMD |
98000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
SAMSUNG/三星 |
22+ |
0805 |
6000 |
只做原装,假一赔十 |
|||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
|||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
0805 |
10000 |
原装正品，支持实单 |
|||
SAMSUNG/三星 |
14+ |
SMD |
1650 |
||||
SAMSUNG/三星 |
21+ |
0805 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
SAMSUNG(三星) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
SAMSUNG/三星 |
21+ |
0805 |
10000 |
全新原装现货 |
|||
SAMSUNG/三星 |
2022 |
O805 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
DRA21C100JBTR芯片相关品牌
DRA21C100JBTR规格书下载地址
DRA21C100JBTR参数引脚图相关
- f338
- F330
- f133
- f1212
- ex128
- et600
- ESD
- ep9315
- ep1c3t144c8n
- EMI滤波器
- em35
- EDA
- e251
- d类功放
- d触发器芯片
- d触发器
- dsp芯片
- dsp技术
- ds18b20
- ds1302
- DRA718
- DRA716
- DRA714
- DRA712
- DRA710
- DRA71
- DRA65x
- DRA658
- DRA64x
- DRA648
- DRA-60
- DRA4MCX
- DRA4CX
- DRA-40
- DRA3R
- DRA2TG
- DRA2TE
- DRA2TC
- DRA2TB
- DRA2T
- DRA21C102MBTA
- DRA21C102MB
- DRA21C102MATR
- DRA21C102MATA
- DRA21C102MA
- DRA21C102KBTR
- DRA21C102KBTA
- DRA21C102KB
- DRA21C102KATR
- DRA21C102KATA
- DRA21C102KA
- DRA21C102CBTR
- DRA21C102CBTA
- DRA21C102CB
- DRA21C102CATR
- DRA21C102CATA
- DRA21C102CA
- DRA21C101JB/TR-142
- DRA21C101JB/TR
- DRA21C101JB
- DRA21C100JB
- DRA215-331-R
- DRA2152Z0L
- DRA2152Z
- DRA2144W0L
- DRA2144W
- DRA2144VOL
- DRA2144V0L
- DRA2144V
- DRA2144T0L
- DRA2144T
- DRA2144E0L
- DRA2144E
- DRA2143Z0L
- DRA2143Z
- DRA2143Y0L
- DRA2143Y
- DRA2143X0L
- DRA2143X
- DRA2143T0L
- DRA1SPF
- DRA1MP
- DRA1MCX
- DRA03TG
- DRA03TE
- DRA03TC
- DRA03TB
- DRA03T
- DR-90
- DR8-NJS
- DR826
- DR824
- DR822
- DR821
- DR820
- DR8100
- DR-8094
- DR-8093
- DR-8092
- DR805X
DRA21C100JBTR数据表相关新闻
DRA624AIZKKQI
DRA624AIZKKQI
2023-7-6DR127-470-R原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380。电话：0755-83226739QQ:626839837。微信号：15096137729
2019-12-5DR73-100-R大功率屏蔽鼓形磁芯电感器-DR系列
伊顿DR系列鼓形磁芯电感器采用磁屏蔽，是台式机和服务器的理想选择
2019-9-5DRAM第二季价格或继续下行，供应商利润恐再缩水24LC64-I/ST
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，在第一季传统淡季，DRAM价格下滑的压力加剧。
2019-6-19DRAM市况不振，美光、三星、海力士获利遭调降
由于DRAM市况不佳，近期各研究机构纷纷调降相关厂商的运营预估值，DRAM三巨头三星、海力士、美光无一幸免。其中，美国投资银行PiperJaffray本月宣布调降美光科技2019年、2020年的获利和营收预期，并表示产业趋势可能更糟。 彭博数据显示，美光科技有近70%的收入来自DRAM存储芯片。PiperJaffray分析师库玛尔（HarshK
2019-3-26DR280AKS-REEL-1.2伏的超低功耗高电源抑制比基准电压源
特征1.2V的精密输出卓越的线路调整，2百万分之/V典型高电源纹波抑制，-80分贝，在220赫兹超低功耗，电源电流16A最大温度系数为40ppm/℃最大低噪声，12.5纳伏/赫兹典型÷工作电压范围为2.4V至5.5V紧凑型3引脚SOT-23和SC70封装应用的GSM，GPRS，3G移动站便携式电池供电电子产品低电压转换器参考无线设备概述该ADR280是一
2013-3-24
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
