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DR8100	916.50MHzTransceiverModule 文件：414.08 Kbytes Page：7 Pages	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所
DR8100-DK	916.50MHzDevelopmentKit 文件：43.92 Kbytes Page：1 Pages	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所
DR8100-EV	916.50MHzTransceiverEvaluationModule 文件：224.65 Kbytes Page：8 Pages	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所
ADL8100	GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL8100ACPZN	GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL8100-EVALZ	GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
8100	T1/CEPTISDNPRITransformers 文件：84.67 Kbytes Page：1 Pages	FILTRAN FILTRAN Group
AEDR-8100	ReflectiveSurfaceMountOpticalEncoder 文件：138.89 Kbytes Page：10 Pages	AVAGOAvago 安华高安华高科技

DR8100产品属性

类型
描述
型号
DR8100
功能描述
射频收发器 3G Transceiver Module 916.5 MHz
RoHS
否
制造商
Atmel
频率范围
2322 MHz to 2527 MHz
最大数据速率
2000 Kbps
调制格式
OQPSK
输出功率
4 dBm
工作电源电压
1.8 V to 3.6 V
最大工作温度
+ 85 C
接口类型
SPI
封装/箱体
QFN-32
封装
Tray

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更新时间：2024-4-25 16:50:00

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