| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DO2301C | 丝印代码：A1SHB；P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.31493 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 |   | |
DO2301C | MOSFET | DOINGTER 杜因特 | | |
Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin | NTE | | ||
Reflective Photosensor 文件：49.97 Kbytes Page：2 Pages | PANASONIC 松下 | | ||
PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages | NSC 国半 | | ||
PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages | NSC 国半 | | ||
EXCALIBUR 3-STATE-OUTPUT WIDE-BANDWIDTH POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：324.91 Kbytes Page：22 Pages | TI 德州仪器 | |
DO2301C产品属性
- 类型
描述
- Package：
SOT-23
- ESD Diode：
N
- VDS (V)：
-20
- VGS ±(V)：
12
- ID(A)：
-2.5
- VGS(th) (min V)：
-0.4
- VGS(th) (max V)：
-1
- RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
120
- RDS(ON) @ 2.5V Max. (mΩ)：
170
- Qg (nC)：
3
- Ciss(pF)：
290
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DOINGTER |
2022+ |
SOT-23 |
40000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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DO2301C参数引脚图相关
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- F330
- f133
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- ESD
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- DO8810A
- DO8804A
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- DO5022H
- DO-41P
- DO-41
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- DO3308P-104ML
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- DO3308P-103MLD
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- DO3308P-103ML
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支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-31DN2540N8-G 原装正品现货
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2022-3-30DO3N10
DO3N10，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-15DOP-103BQ
DOP-103WQ，DOP-107EG，DOP-107WV
2019-8-22DOB爆款S5542S单芯片非隔离开关调色恒流芯片
S5542S 是针对DOB超频应用开发的一款集成了高精度非隔离LED恒流和开关调色温控制两种功能芯片，芯片工作在电流和电感临界模式，适用于85~264Vac全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流调色电源，可以通过墙壁开关实现调色温。
2019-4-27
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