DNLS412E-13价格

参考价格:¥1.5517

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
DNLS412E-13

LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 57.5m at 4A • High DC Current Gain hFE > 400 at IC = 3A • Complementary PNP Type Available (DPLS315E) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or

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美台半导体

DNLS412E-13

包装:散装 描述:TRANS NPN 12V 4A SOT-223 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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美台半导体

DNLS412E-13产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DNLS412E-13

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 1W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-24 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
24+
NA/
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SOT223
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