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DMT12H090LFDF4

115V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications. •0.4mm Profile—Ideal for Low Profile Applications\n•100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production—Ensures More Reliable and Robust End Application\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3);

DIODES

美台半导体

DMT12H090LFDF4产品属性

  • 类型

    描述

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    115 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    3.4 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.6 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    90 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    100 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    2.2 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    6 nC

  • Packages:

    X2-DFN2020-6

更新时间:2026-8-3 16:39:00
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