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Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DIOFETUtilizesaUniquePatentedProcesstoMonolithically IntegrateaMOSFETand

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更新时间:2024-6-22 15:34:01
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