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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE

Features • DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: • Low RDS(ON) - minimizes conduction losses • Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction • Low Qrr - lower Qrr of the integrated Schottk

DIODES

美台半导体

更新时间:2025-12-18 23:01:01
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