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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance: RDS(ON) ≤ 6Ω @ VGS = -4.0V RDS(ON) ≤ 8Ω @ VGS = -2.5V • Very Low Gate Threshold Voltage, ≤ 1.0V • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected Gate, 1KV • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green De

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美台半导体

更新时间:2026-2-7 23:00:01
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