| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DG40F12T2 | 1200V/40A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as electronic welder. Features Low VCE(sat) Fast IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC VCE(sa | STARPOWER 斯达半导体 |   | |
DG40F12T2 | T2.0-Advanced Trench FS Ultra Fast IGBT Without Short-circuit Capacity | STARPOWER 斯达半导体 | |
更新时间：2025-12-24 17:52:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STARPOWER |
22+ |
N/A |
5500 |
斯达半导全系列在售,支持终端生产 |
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STARPOWER |
23+ |
na |
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原装优质现货订货渠道商 |
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INTEL/英特尔 |
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BGA |
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三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 |
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MAXIM |
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SMD |
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N/A |
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12 |
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