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60V N-Channel Power MOSFET

Features ● Advanced Trench Technology ● Low RDS(ON) 3.1mΩ (Max.) ● Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) ● Low Crss typical @ 300pF (Typ.)

TSC

台湾半导体

60V N-Channel Power MOSFET

Features ● Advanced Trench Technology ● Low RDS(ON) 3.1mΩ (Max.) ● Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) ● Low Crss typical @ 300pF (Typ.)

TSC

台湾半导体

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

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FOSTER

福斯特半导体

更新时间:2025-8-7 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI
24+
NA/
13260
原厂直销,现货供应,账期支持!
Taiwan Semiconductor(台湾半导
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PDFN8(5x6)
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ST/意法
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SOP-8
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ST/意法
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ST/意法
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12000
原装正品 有挂就有货
VBsemi
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TO220
18000
原装正品 有挂有货 假一赔十
VBsemi
25+
TO220
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TSC/台湾半导体
2022+
TO-220
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
ADI
23+
SOP-8
8000
只做原装现货
TSC/台湾半导体
2022+
TO-220
50000
原厂代理 终端免费提供样品

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