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DG210N06

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60V N-Channel Power MOSFET

Features ● Advanced Trench Technology ● Low RDS(ON) 3.1mΩ (Max.) ● Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) ● Low Crss typical @ 300pF (Typ.)

TSC

台湾半导体

60V N-Channel Power MOSFET

Features ● Advanced Trench Technology ● Low RDS(ON) 3.1mΩ (Max.) ● Low gate charge typical @ 160nC (Typ.) ● Low Crss typical @ 300pF (Typ.)

TSC

台湾半导体

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

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FOSTER

福斯特半导体

更新时间:2025-12-26 23:01:00
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