型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
DG120X07T2

650V/120A IGBT with Diode

General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  Low switching loss  Maximum junction temperature 175oC

STARPOWER

斯达半导体

DG120X07T2

分立器件

STARPOWER

斯达半导体

更新时间:2026-3-15 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
斯达
24+
TO-247
54827
公司现货库存,有挂就有货,支持实单
ADI(亚德诺)
25+
N/A
18746
样件支持,可原厂排单订货!
ADI(亚德诺)
25+
N/A
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
STARPOWER/嘉兴斯达
2517+
TO-247
8850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
NEC
24+
SOP-20
35
TE
25+
100
原厂现货渠道
24+
CDIP
200
进口原装正品优势供应
ADI/亚德诺
2511
原封装
66900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
INTERSIL
23+
CDIP
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
78000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

DG120X07T2数据表相关新闻