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DG120X07T2

650V/120A IGBT with Diode

General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  Low switching loss  Maximum junction temperature 175oC

STARPOWER

斯达半导体

DG120X07T2

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更新时间:2025-12-24 23:03:00
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