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DFE252010F-R33M

The use of Flat wire for Low DC resistance

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DFE252010F-R33M

Rated current (Isat) is specified when the decrease of the initial inductance value at 30

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MuRata

村田

DFE252010F-R33M

Inductor

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MuRata

村田

DFE252010F-R33M

Metal Alloy Inductors

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Rated current (Isat) is specified when the decrease of the initial inductance value at 30

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MuRata

村田

Metal alloy Power Inductor

MuRata

村田

Rated current (Isat) is specified when the decrease of the initial inductance value at 30

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MuRata

村田

封装/外壳:1008(2520 公制) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:FIXED IND 330NH 4.8A 21MOHM SMD 电感器,线圈,扼流圈 固定电感器

ETC

知名厂家

更新时间:2025-12-31 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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