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DF4-19MR20W3M1HF_B11

EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC

Features • Electrical features - VDSS = 2000 V - IDN = 60 A / IDRM = 120 A - High current density - Low inductive design • Mechanical features - Rugged mounting due to integrated mounting clamps - PressFIT contact technology - Integrated NTC temperature sensor

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英飞凌

DF4-19MR20W3M1HF_B11

2000 V、60 A 升压 EasyPACK ™ 3B CoolSiC ™ MOSFET 模块

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英飞凌

更新时间:2026-2-8 22:52:00
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