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DE275-201N25A

RF Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Low Qgand Rg High dv/dt Nanosecond Switching Ideal for Class C, D, & E Applications Features • Isolated Substrate − high isolation voltage (>2500V) − excellent thermal transfer − Increased temperature and power cycling capability •

IXYS

艾赛斯

DE275-201N25A

Switch Mode MOSFETs

LITTELFUSE

力特

DE275-201N25A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DE275-201N25A

  • 制造商

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    MOSFET N RF DE275

  • 制造商

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    MOSFET, N, RF, DE275

  • 制造商

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    MOSFET, N, RF, DE275; Transistor

  • Type

    RF MOSFET; Drain Source Voltage

  • Vds

    200V; Continuous Drain Current

  • Id

    25A; Power Dissipation

  • Pd

    590W; Operating Temperature

  • Min

    -55C; Operating Temperature

  • Max

    175C; No. of

  • Pins

    6 ;RoHS

  • Compliant

    Yes

更新时间:2026-1-28 15:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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22+
CDIP
12245
现货,原厂原装假一罚十!
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TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
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25+
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30000
代理全新原装现货,价格优势
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23+
DIP
98900
原厂原装正品现货!!
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26+
标准封装
890000
一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务
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25+
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500000
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22+
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2447
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