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DE275-102N06A

RF Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching Ideal for Class C, D, & E Applications Features • Isolated Substrate − high isolation voltage (>2500V) − excellent thermal transfer − Increased temperature and power cycling capability • IXYS advance

IXYS

艾赛斯

DE275-102N06A

封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 包装:管件 描述:RF MOSFET N-CHANNEL DE275 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

DE275-102N06A

Switch Mode MOSFETs

LITTELFUSE

力特

DE275-102N06A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DE275-102N06A

  • 制造商

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    DE275 Series N-Channel 1000 Vds 1.6 Ohm 50 nC 590 W RF Power Mosfet

更新时间:2026-1-28 11:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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