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DDB6U75N16W1R价格
参考价格:¥216.5486
型号:DDB6U75N16W1R_B11 品牌:Infineon 备注:这里有DDB6U75N16W1R多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,DDB6U75N16W1R批发/采购报价,DDB6U75N16W1R行情走势销售排行榜,DDB6U75N16W1R报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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DDB6U75N16W1R | Diode-Gleichrichter/diode-rectifierH철chstzul채ssigeWerte/maximumratedvalues 文件:1.94239 Mbytes Page:8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | ||
IGBT-Module 文件:536 Kbytes Page:9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |||
封装/外壳:模块 包装:散装 描述:IGBT MOD 1200V 69A 335W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |||
封装/外壳:模块 包装:散装 描述:IGBT MOD 1200V 69A 335W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |
DDB6U75N16W1R产品属性
- 类型
描述
- 型号
DDB6U75N16W1R
- 功能描述
IGBT 模块 Bridge Rectifer 1600V 605A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
Infineon |
21+ |
模块 |
19 |
原装现货假一赔十 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
AG-EASY1B-1 |
25630 |
原装正品 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
AG-EASY1B-1 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-EASY1B-1 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
INFINEON |
25+ |
原封装 |
81220 |
郑重承诺只做原装进口货 |
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Infineon |
23+ |
Tray |
500 |
原装正品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
DDB6U75N16W1R规格书下载地址
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2023-4-8DD200KB40
DD200KB40,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-27DDK圆形接头D/MS3102A12S-3P原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729
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2019-12-25DD89N12K
专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件;主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元
2019-10-18
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