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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM90N06Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with

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Drain Current ?밒D= 90A@ TC=25C

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丝印代码:HM90N06D;N-Channel Trench Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

丝印代码:HMS90N06;N-Channel Super Trench Power MOSFET

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华之美半导体

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KEXIN

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更新时间:2026-3-11 16:19:01
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