| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS?? Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.36 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 600 V) • Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) | TOSHIBA 东芝 |   | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03494 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
TRIAC(Through Hole/Non-isolated) 文件：469.33 Kbytes Page：2 Pages | SANREX 三社 | | ||
TRIAC(Through Hole/Isolated) 文件：470.64 Kbytes Page：2 Pages | SANREX 三社 | | ||
TRIAC(Surface Mount Device/Non-isolated) 文件：471.1 Kbytes Page：2 Pages | SANREX 三社 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-6-17
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