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D86EQ2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.55Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-8-5 20:00:00
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