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D84DN2

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
D84DN2

FIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
D84DN2

FIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
更新时间:2024-6-3 19:55:00
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