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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channel,300V,0.80廓,5ATO-220,TO-220FP,DPAKZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFET

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意法半导体意法半导体集团

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更新时间:2025-8-4 23:00:01
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