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D65005C198

3-MICROON CMOS GATE ARRAYS

Description The μD65000 (CMOS-2) series of gate arrays are low-power, high-speed devices featuring 3-micron silicon gate CMOS technology. The basic cell on the chip consists of four transistors, two P-channel and two N-channel, with double-layer metal Interconnects. Features

NEC

瑞萨

D65005C198

3-MICROON CMOS GATE ARRAYS

RENESAS

瑞萨

D65005C198产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    D65005C198

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    3-MICROON CMOS GATE ARRAYS

更新时间:2025-12-21 16:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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