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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO6415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO6415 is Pb-free (meets ROH

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万国半导体

P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-3.3A (VGS =-10V) ● RDS(ON)

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科信电子

P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-3.3A (VGS =-10V) ● RDS(ON)

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20V P-Channel MOSFET

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更新时间:2025-12-25 9:11:01
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