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D45C12_V01

Complementary Silicon Power Transistor

Features • Low Collector−Emitter Saturation Voltage − 0.5 V (Max) • High ft for Good Frequency Response • Low Leakage Current • Pb−Free Packages are Available*

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-11-22 10:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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