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丝印代码:D2118;Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

丝印代码:D2118;Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

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ROHM

罗姆

丝印代码:D2118;Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

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ROHM

罗姆

D2118

Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

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ROHM

罗姆

Carbide PCB Drill Bit ‐ 0.5mm

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ADAFRUIT

Universal Bushings

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HEYCO

Fieldbus, 1 Pr #18 Str TC, XLPO Ins, OS, TPE Jkt, 600V TC

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BELDEN

百通

High Current Toroid Inductors

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BOURNS

伯恩斯

High Current Toroid Inductors

文件:111.85 Kbytes Page:1 Pages

BOURNS

伯恩斯

更新时间:2026-3-13 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
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