Airfast RF Power GaN Transistor

Rectifier Diode

Rectifier Diode

Full blocking capability 50/60Hz over a wide temperature range

Key Parameters    VRRM 6800 V    IFAVM 1590 A (TC=100 °C)    IFSM 3570A (T 28000 A C=55°C)    VT0 0,75 V    rT 0,42 mΩ    RthJC 14 K/kW    Clamping Force 15 … 36 kN    Max. Diameter 76 mm    Contact Diameter 50 mm    Height 26 mm Features • Full blocking capability 50/60Hz over a wide

Rectifier Diode

封装/外壳：DO-200AC，K-PUK 包装：散装 描述：DIODE GEN PURP 5.8KV 2200A 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

封装/外壳：DO-200AC，K-PUK 包装：散装 描述：DIODE GEN PURP 6KV 2200A 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

Rectifier Diodes

Inst, 36 Pr #1822 Str BC, PVC Ins E1, IS/OS, Blk PVC Jkt, 300V PLTC ITC CMG

Product Description UL Instrumentation, 36 Pair 18+22AWG (7x26+7x30) Bare Copper, PVC Insulation E1 Color Code, Individual & Overall Beldfoil® Shield, Black PVC Outer Jacket, PLTC ITC CMG AWM 2464 SUN RES DIR BUR

SPACERS & STANDOFFS

文件：282.99 Kbytes Page：1 Pages

SPACERS , STANDOFFS

文件：297.49 Kbytes Page：1 Pages

SILICON HIGH VOLTAGE RECTIFIER

文件：60.29 Kbytes Page：1 Pages

6-9GHz Direct Quadrature Modulator

文件：456.31 Kbytes Page：10 Pages