| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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CSD13306W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low on Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 × 1.5 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is de | TI 德州仪器 |   | ||
CSD13306W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low on Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 × 1.5 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is de | TI 德州仪器 | | ||
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CSD13306W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：616.7 Kbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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DSBGA6 |
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