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P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •VeryLowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

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美台半导体

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更新时间:2025-6-3 9:03:01
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