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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
DMC2004DWK-7	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)1V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •ComplementaryPairMOSFET •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes2&am	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
DMN2004DWK-7	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGate	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
DMP2004DWK-7	DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(TH)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
DMN2004DWK-7	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：285.4 Kbytes Page：4 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
DMN2004DWK-7	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET 文件：457.81 Kbytes Page：7 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体

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更新时间：2025-6-8 23:35:01

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2024-11-1
DDR存储器 K4B4G1646E-BYMA 中文资料，价格咨询，数据手册，现货供应
K4B4G1646E-BYMASAMSUNGBGA封装，原装现货，
2024-5-20
DDB6U205N16L
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2023-4-8
DDK圆形接头D/MS3102A12S-3P原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380。电话：0755-83226739QQ:626839837。微信号：15096137729
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