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N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features •LowOn-Resistance •25mΩ@VGS=4.5V •29mΩ@VGS=2.5V •36mΩ@VGS=1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant •ESDProtectedUpTo2kV MechanicalData •Case:SOT-23 •CaseMaterial:MoldedPlast

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美台半导体

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N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

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美台半导体

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微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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更新时间:2025-7-22 23:00:01
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