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CEB3112中文资料

厂家型号

CEB3112

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5

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

CET-MOS

CEB3112数据手册规格书PDF详情

FEATURES

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

RoHS compliant.

更新时间:2025-10-10 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
CET/華瑞
2511
TO-263
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
CET
24+
30000
SR
23+
T0-263
5000
原装正品,假一罚十
CET
18+
TO-263
41200
原装正品,现货特价
CET
20+
TO-263
368
样品可出,原装现货
CET/華瑞
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
VBsemi
23+
TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
CET/華瑞
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品
VBsemi
21+
TO263
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力