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CEB30P03中文资料

厂家型号

CEB30P03

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4

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

CET-MOS

CEB30P03数据手册规格书PDF详情

FEATURES

-30V, -30A, RDS(ON) =32mW @VGS = -10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

RDS(ON) =50mW @VGS = -4.5V.

Lead free product is acquired.

更新时间:2025-10-9 15:13:00
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