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CEB16N10L中文资料
CEB16N10L数据手册规格书PDF详情
FEATURES
100V, 15.2A, RDS(ON) = 115mW @VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
TO-220 & TO-263 package.
RoHS compliant.
RDS(ON) = 125mW @VGS = 5V.
CEB16N10L产品属性
- 类型
描述
- 型号
CEB16N10L
- 制造商
CET
- 制造商全称
Chino-Excel Technology
- 功能描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
更新时间：2025-10-9 15:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CET-MOS |
100 |
||||||
CET-MOS |
24+ |
con |
100 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
|||
CET-MOS |
24+ |
con |
2500 |
优势库存,原装正品 |
|||
SR |
23+ |
T0-263 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
CET/華瑞 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
SR |
21+ |
TO251 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
|||
CET/華瑞 |
2511 |
TO-263 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
CET |
24+ |
50000 |
|||||
CET |
24+ |
TO-263 |
90000 |
进口原装现货假一罚十价格合理 |
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