位置：CEB160N08S > CEB160N08S详情
CEB160N08S中文资料
CEB160N08S数据手册规格书PDF详情
FEATURES
80V, 152A, RDS(ON) = 3.6mW @VGS = 10V
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
TO-220 & TO-263 package.
RoHS compliant.
更新时间：2025-8-9 14:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
|||
CET/華瑞 |
2511 |
TO-263 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
SR |
23+ |
T0-263 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
C |
T0-263 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
C |
23+ |
T0-263 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
CET/華瑞 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
SR |
21+ |
TO251 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
CET |
24+ |
50000 |
|||||
CET |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
CET |
24+ |
TO-263 |
90000 |
进口原装现货假一罚十价格合理 |
CEB160N08S 资料下载更多...
CEB160N08S 芯片相关型号
CET-MOS相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
