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CEB13N10L中文资料

厂家型号

CEB13N10L

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4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

CET-MOS

CEB13N10L数据手册规格书PDF详情

FEATURES

100V, 12.8A, RDS(ON) = 175mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

Lead free product is acquired.

RDS(ON) = 185mW @VGS = 5V.

CEB13N10L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CEB13N10L

  • 制造商

    CET

  • 制造商全称

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2025-10-10 8:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET-MOS
10
CET-MOS
24+
con
10
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格
SR
23+
TO-220
5000
原装正品,假一罚十
CET/華瑞
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品
-
23+
NA
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
CET/華瑞
2511
TO-263
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
CET
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
CET(华瑞)
2447
TO-263
105000
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CET/華瑞
2407+
con
10750
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