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CP788X数据手册规格书PDF详情
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 13.7 x 13.7 MILS
Die Thickness 5.9 MILS
Base Bonding Pad Area 4.0 x 4.0 MILS
Emitter Bonding Pad Area 5.5 x 5.5 MILS
Top Side Metalization Al-Si - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 12,000Å
更新时间：2021-9-14 10:50:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CENTRAL |
25+ |
模具 |
26 |
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Central Semiconductor Corp |
25+ |
模具 |
9350 |
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CYPRESS |
19+ |
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原装正品 |
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CYPRESS |
2020+ |
COM |
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CYPRESS/赛普拉斯 |
23+ |
N/A |
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CYPRESS(赛普拉斯) |
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CYPRESS/赛普拉斯 |
13+ |
COM |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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CYPRESS/赛普拉斯 |
24+ |
COM |
55623 |
只做全新原装进口现货 |
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CYPRESS/赛普拉斯 |
25+ |
COM |
996880 |
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CYPRESS(赛普拉斯) |
24+ |
- |
10000 |
现货 |
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