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CP331中文资料

厂家型号

CP331

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2

功能描述

NPN - High Voltage Darlington Transistor Chip

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

CP331数据手册规格书PDF详情

PROCESS DETAILS

Die Size 39.4 x 39.4 MILS

Die Thickness 9.1 MILS

Base Bonding Pad Area 7.9 x 7.9 MILS

Emitter Bonding Pad Area 7.9 x 7.9 MILS

Top Side Metalization Al-Si - 30,000Å

Back Side Metalization Au-As - 18,000Å

更新时间:2026-5-19 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHD
24+
1250