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CP329V中文资料

厂家型号

CP329V

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1

功能描述

Small Signal Transistor NPN- Silicon Darlington Transistor Chip

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

CP329V数据手册规格书PDF详情

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 27 x 27 MILS

Die Thickness 7.1 MILS

Base Bonding Pad Area 4.2 x 4.2 MILS

Emitter Bonding Pad Area 4.3 x 4.3 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000Å

Back Side Metalization Au - 13,000Å

CP329V产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CP329V

  • 制造商

    CENTRAL

  • 制造商全称

    Central Semiconductor Corp

  • 功能描述

    Small Signal Transistor NPN- Silicon Darlington Transistor Chip

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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