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NE3508M04-T2-A中文资料

厂家型号

NE3508M04-T2-A

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11

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR

射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

数据手册

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生产厂商

CEL

NE3508M04-T2-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE3508M04-T2-A

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-10-10 14:25:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CEL
25+
SOT-343F
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
11259
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS/瑞萨
25+
SOT343
18197
RENESAS/瑞萨原装特价NE3508M04-T2-A即刻询购立享优惠#长期有货
瑞萨
23+
SOT-343
65870
Renesas(瑞萨)
23+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
RENESAS
2024+
N/A
70000
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RENESAS
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SOT-343
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NEC
24+
SOT-343SOT-323-4
9200
新进库存/原装
NEC
24+
SOT-343
5000
全现原装公司现货
RENESAS
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