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P-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability

SAMSUNG

三星

4-bit Fm I2C-bus LED driver

ETC

知名厂家

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更新时间:2026-3-14 11:26:01
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