型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CY7C1350G-166AXI

4-Mbit (128K x 36) Pipelined SRAM with NoBL Architecture

Functional Description[1] The CY7C1350G is a 3.3V, 128K x 36 synchronous-pipelined Burst SRAM designed specifically to support unlimited true back-to-back Read/Write operations without the insertion of wait states. The CY7C1350G is equipped with the advanced No Bus Latency™ (NoBL™) logic required

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1350G-166AXI

4-Mbit (128K x 36) Pipelined SRAM with NoBL??Architecture

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CY7C1350G-166AXI

封装/外壳:100-LQFP 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 集成电路(IC) 存储器

CypressCypress Semiconductor

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CY7C1350G-166AXI

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Infineon

英飞凌

4-Mbit (128K x 36) Pipelined SRAM with NoBL Architecture

Functional Description[1] The CY7C1350G is a 3.3V, 128K x 36 synchronous-pipelined Burst SRAM designed specifically to support unlimited true back-to-back Read/Write operations without the insertion of wait states. The CY7C1350G is equipped with the advanced No Bus Latency™ (NoBL™) logic required

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4-Mbit (128K x 36) Pipelined SRAM with NoBL Architecture

Functional Description[1] The CY7C1350G is a 3.3V, 128K x 36 synchronous-pipelined Burst SRAM designed specifically to support unlimited true back-to-back Read/Write operations without the insertion of wait states. The CY7C1350G is equipped with the advanced No Bus Latency™ (NoBL™) logic required

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CY7C1350G-166AXI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CY7C1350G-166AXI

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 128Kx36 3.3V NoBL Sync-FT 静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-30 16:38:00
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