型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CY7C1315BV18-200BZXC

18-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture

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CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1315BV18-200BZXC

封装/外壳:165-LBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路(IC) 存储器

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CY7C1315BV18-200BZXC

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Infineon

英飞凌

18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

Functional Description The CY7C1311BV18, CY7C1911BV18, CY7C1313BV18, and CY7C1315BV18 are 1.8V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR™-II architecture. QDR-II architecture consists of two separate ports to access the memory array. The Read port has dedicated Data Outputs to support Read o

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18-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture

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CY7C1315BV18-200BZXC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CY7C1315BV18-200BZXC

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V COM QDR II 静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-10-21 17:07:00
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