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CY7C1314BV18	18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：262.36 Kbytes Page：25 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18	18-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture 文件：1.16542 Mbytes Page：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18	18-Mbit QDR??II SRAM 2 Word Burst Architecture 文件：1.0734 Mbytes Page：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18-167BZC	18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：262.36 Kbytes Page：25 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18-167BZC	18-Mbit QDR??II SRAM 2 Word Burst Architecture 文件：1.0734 Mbytes Page：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18-167BZI	18-Mbit QDR??II SRAM 2 Word Burst Architecture 文件：1.0734 Mbytes Page：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18-167BZI	封装/外壳：165-LBGA 包装：卷带（TR）描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路（IC）存储器	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18-167BZI	IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1314BV18-167BZXC	18-Mbit QDR??II SRAM 2 Word Burst Architecture 文件：1.0734 Mbytes Page：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18-167BZXI	18-Mbit QDR??II SRAM 2 Word Burst Architecture 文件：1.0734 Mbytes Page：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18-200BZC	18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：262.36 Kbytes Page：25 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18-200BZC	IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1314BV18-200BZC	18-Mbit QDR??II SRAM 2 Word Burst Architecture 文件：1.0734 Mbytes Page：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18-200BZC	封装/外壳：165-LBGA 包装：卷带（TR）描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路（IC）存储器	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18-200BZI	18-Mbit QDR??II SRAM 2 Word Burst Architecture 文件：1.0734 Mbytes Page：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314BV18-200BZXC	18-Mbit QDR??II SRAM 2 Word Burst Architecture 文件：1.0734 Mbytes Page：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1314BV18-250BZC	18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：262.36 Kbytes Page：25 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1314BV18-250BZXI	18-Mbit QDR??II SRAM 2 Word Burst Architecture 文件：1.0734 Mbytes Page：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

CY7C1314BV18产品属性

类型
描述
型号
CY7C1314BV18
功能描述
静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V COM QDR II 静态随机存取存储器
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存储容量
16 Mbit
组织
1 M x 16
访问时间
55 ns
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
2.2 V
最大工作电流
22 uA
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
TSOP-48
封装
Tray

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更新时间：2025-10-22 17:37:00

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