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18-Mbit QDR짰 II SRAM 2-Word Burst Architecture

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CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

封装/外壳:165-LBGA 包装:管件 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 集成电路(IC) 存储器

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

18-Mbit QDR® II SRAM 2-Word Burst Architecture

Infineon

英飞凌

CY7C13121KV18-300产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CY7C13121KV18-300

  • 功能描述

    IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FPBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    2,500

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    1K(128 x 8)

  • 速度

    100kHz

  • 接口

    UNI/O?(单线)

  • 电源电压

    1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)

  • 供应商设备封装

    8-MSOP

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2025-10-20 9:00:00
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