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CY7C1049B-20VI

512K x 8 Static RAM

Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

512K x 8 Static RAM

Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400

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赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1049B-20VI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CY7C1049B-20VI

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 功能描述

    512K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO36

更新时间:2025-8-14 23:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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