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Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES ■ -30V, -4A, RDS(ON) = 65mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 100mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface mount Package.

CET

华瑞

50V CERAMIC DISC

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NTE

8940 THRU 8925 8955 THRU 8961

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Jitter Attenuating, Multiplying Phase-Locked Loop with Automatic Input Switch and Data Resynchronization Path

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SEMTECH

先之科

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-21 10:19:01
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