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ChannelenhancementmodepowerMOSFET

DescriptionPinout CommondrainN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistor8205A/8205B/8205C Itfeaturesfastswitching,ultra-lowon-resistanceandhighcostperformance. 8205A/8205B/8205Caresuitablefordesigningcircuitsforbatteryprotectionorlow-voltageswitching. 2.

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未分类制造商

ETC

DualN-ChannelMOSFET

FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-5-21 23:00:01
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